- Introductio ad Cellulas
(1) Overview:Cellae sunt core componentsphotovoltaic generationeorumque technicae itineris ac processus gradus potentiae generationis efficaciam et servitium vitae modulorum photovoltaicorum directe afficiunt.Cellae photovoltaicae in mediis spatiis catenae industriae photovoltaicae sita sunt.Sunt schedae graciles semiconductores quae vim solis in energiam electricam energiam electricam convertendam obtinent per lagana Pii crystallini processus unius/politi.
Principiumphotovoltaic generationeffectus photoelectric ex semiconductoribus venit.Per illustrationem differentia potentialis generatur inter diversas partes semiconductores homogenei vel semiconductores cum metallis coniuncti.Conversum est ex photons (fluctibus lucidis) in electrons et energiam in electricam energiam ad intentionem formandam.et vigeat.lagana in flumine flumine producta electricitatem ducere non possunt, et cellulae solares processus potentiam generationis modulorum photovoltaicorum facultatem determinare possunt.
(2) Ordo:Ex prospectu generis subiecti, cellae in duo genera dividi possunt;P-genus cellulis et N-genus cellulis.Doping boron in crystallis Pii potest semiconductores P-typus facere;doping phosphorus potest facere N-type semiconductores.Materia rudis P-typei pugna est P-typus laganum silicon (doped cum boron), et materies rudis N-typei laganum siliconis laganum (cum phosphoro appositum).Cellulae P-typus maxime includunt BSF (aluminium conventionale campi posterioris) et PERC (cellum emitter et posticum passivum);N-genus cellae sunt currently magis technologiae ametTOPCon(obtenebrans iacuit oxydatum contactum passivationis) et HJT (tenuis membranae intrinsecae coniunctae Hetero).Pugna N-type electricitatem per electrons agit, et levis inductus attenuatio per par atom boron-oxygeni minor est, ergo efficientia photoelectrica conversio altior est.
3. Introductio PERC altilium
(1) Overview: Plenum nomen pugnae PERC est "altilium passivationis emittens et dorsum", quod natum est ab AL-BSF structura aluminii conventionalis campi retri altilium.Ex parte structurae, duo inter se similes sunt, et altilium PERC unum tantum iacuit plus passivationis dorsi quam altilium BSF (ante generationem technologiam altilium).Formatio acervi passivationis posterioris permittit PERC cellam reducere recombinationem superficiei dorsi, dum levi reflexione superficiei posterioris meliori et ad conversionem efficientiam cellae meliori.
(2) Progressus historiae: Cum MMXV, domestica PERC gravida scaenam celeri incrementi ingressi sunt.Anno 2015, machina productionis domestica PERC capacitas prima in mundo locum attigit, pro 35% machinae productionis facultatem global PERC.In 2016, "Photovoltaic Top Cursor Program" effectum per Energy Administration Nationalis instrumentum massae productionis PERC cellarum in Sinis officialem initium duxit, cum media efficientia 20.5%.MMXVII est metae ad forum participes suntphotovoltaic cellulae.Mercatus participes cellularum conventionalium declinare coeperunt.Domestica PERC cellae mercatus participes ad 15% aucta sunt, et capacitas productionis eius usque ad 28.9GW crevit;
Cum 2018, PERC gravida in foro amet efficitur.Anno 2019, magna-scala massae productionis PERC cellularum accelerabit, cum efficientia massa productionis 22,3%, plus quam 50% capacitatis productionis computans, officialiter cellas BSF praestantes ut technologiae cellae photovoltaicae maximae fiant.Secundum CPIA aestimat, ab 2022, massa productio efficientiae PERC cellarum 23.3% perveniet, et capacitas productionis plus quam 80% rationem reddet, et mercatus particeps adhuc primas ponet.
4. TOPCon altilium
(1) Descriptio:TOPCon altilium, hoc est, effosso strato oxydatum passivationis contactum cellae, in tergo pilae praeparatur cum strato oxydatum ultra-tenui cuniculi et iacuit polysilicon tenui iacu- rimi iacens, quae simul structuram contactum passivationem formant.In 2013, propositum est ab Instituto Fraunhofer in Germania.Comparatus cum cellulis PERC, unus genus pii substratum adhibeat.Cum cellulis siliconibus p-typus comparatus, n-typus pii plus habet vitam ferebat, magna conversionis efficientiam, lumen debile.Secundum est lavacrum passivationis (ex oxydati pii ultra-tenui SiO2 et poly- silicon tenuem stratum Poly-Si) in dorso formare structuram contactum passivationis, quae regionem a metallo dopedam omnino segregat, quae dorsum ulterius reducere potest. superficiem.Minoritas tabellarius recombinationem probabilitatis inter superficiem et metallum auget conversionem efficientiam altilium.
Post tempus: Aug-29-2023